iPhone 7 : 256Go de mémoire grâce à une puce UFS 2.0 ?

Samsung a dévoilé une nouvelle puce UFS 2.0 (Universal Flash Storage) de très haute capacité qui sera utilisée dans les prochains appareils mobiles haut de gamme tels que les iPhone 7 et 7 Plus. Le géant sud-coréen avait précédemment réussi à pousser la capacité de ses puces jusqu’à 128Go (testé avec le Galaxy S6), et il est à présent parvenu à la doubler pour atteindre 256Go.

Pour la lecture séquentielle, l’UFS 256Go de Samsung profite de deux voies de transfert qui lui permettraient de déplacer les données jusqu’à la vitesse impressionnante de 850Mb/s. En guise de comparaison, c’est presque deux fois plus rapide qu’un SSD typique basé sur du SATA (utilisé notamment dans les PC). En termes d’écriture séquentielle, la puce peut monter jusqu’à 260Mb/s, ce qui est environ trois fois plus rapide que les cartes micro SD externes de haute performance qui existent actuellement.

En conséquence, la nouvelle mémoire UFS 256Go est capable de supporter sans souci la lecture de vidéos Ultra HD et la fonctionnalité multitâche sur les appareils mobiles à grand écran. Elle permettra par exemple de regarder des films en 4K sur un écran divisé, tout en recherchant des images ou en téléchargeant des clips vidéo.

Samsung précise que la puce est conçue pour les appareils mobiles haut de gamme tels que les smartphones et les tablettes. Cette puce pourrait apparaître pour le première fois sur des variantes 256Go du Galaxy S7 ou du prochain Samsung Galaxy Note 6 avec d’arriver sur l’iPhone 7.  En effet, d’autres fabricants dont Apple vont également utiliser la nouvelle puce de Samsung dans leurs propres appareils.